金屬微電極的特點(diǎn)及其應(yīng)用

瀏覽次數(shù)：3884　發(fā)布日期：2011-8-28　來(lái)源：本站　僅供參考，謝絕轉(zhuǎn)載，否則責(zé)任自負(fù)

A型金屬微電極

一、鉑銥電極參數(shù)及其應(yīng)用：

型號(hào)	長(zhǎng)度	絕緣層厚度	手柄直徑	最低阻抗 ±20%	尖端直徑	典型應(yīng)用
PTM23B05	51mm	3µ	0.254mm	0.5MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入
PTM23B05KT	51mm	3µ	0.356mm	0.5MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入
PTM23B05KTH	51mm	3µ	0.356mm	0.5MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入
PTM23B10	51mm	3µ	0.254mm	1.0MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入
PTM23B10KT	51mm	3µ	0.356mm	1.0MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入
PTM23B10KTH	51mm	3µ	0.356mm	1.0MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入
PTM23B20	51mm	3µ	0.254mm	2.0MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入
PTM23B20KT	51mm	3µ	0.356mm	2.0MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入
PTM23B20KTH	51mm	3µ	0.356mm	2.0MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄，刺激，長(zhǎng)期植入

二、鎢電極參數(shù)及其應(yīng)用：

型號(hào)	長(zhǎng)度	絕緣層厚度	手柄直徑	最低阻抗 ±20%	尖端直徑	典型應(yīng)用
TM31A10	76mm	1µ	0.127 mm	1.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31A10KT	76mm	1µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31A10KTB	76mm	1µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31A10KTH	76mm	1µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31A20	76mm	1µ	0.127 mm	2.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31A20KT	76mm	1µ	0.216 mm	2.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31A50	76mm	1µ	0.127 mm	5.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31A50KT	76mm	1µ	0.216 mm	5.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31A50KTH	76mm	1µ	0.216 mm	5.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM31C05	76mm	1µ	0.085 mm	0.5 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C05KT	76mm	1µ	0.145 mm	0.5 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C10	76mm	1µ	0.085 mm	1.0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C10KT	76mm	1µ	0.145 mm	1.0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C10KTH	76mm	1µ	0.145 mm	1.0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C20	76mm	1µ	0.085 mm	2.0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C20KT	76mm	1µ	0.145 mm	2.0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C20KTH	76mm	1µ	0.145 mm	2..0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C40	76mm	1µ	0.085 mm	4.0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C40KT	76mm	1µ	0.145 mm	4.0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM31C40KTH	76mm	1µ	0.145 mm	4.0 MΩ	1µ	用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞
TM33A05	76mm	3µ	0.127 mm	0.5 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33A05KT	76mm	3µ	0.216 mm	0.5 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33A05KTH	76mm	3µ	0.216 mm	0.5 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33A10	76mm	3µ	0.127 mm	1.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33A10KT	76mm	3µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33A10KTH	76mm	3µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33A20	76mm	3µ	0.127 mm	2.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33A20KT	76mm	3µ	0.216 mm	2.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33A20KTH	76mm	3µ	0.216 mm	2.0 MΩ	1µ	多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激
TM33B01	76mm	3µ	0.254 mm	0.1 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B01KT	76mm	3µ	0.356 mm	0.1 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B01KTB	76mm	3µ	0.356 mm	0.1 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B01KTH	76mm	3µ	0.356 mm	0.1 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B05	76mm	3µ	0.254 mm	0.5 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B05H	76mm	3µ	0.254 mm	0.5 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B05KT	76mm	3µ	0.356 mm	0.5 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B05KTH	76mm	3µ	0.356 mm	0.5 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B10	76mm	3µ	0.254 mm	1.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B10H	76mm	3µ	0.254 mm	1.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B10KT	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B10KTB	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B10KTH	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B20	76mm	3µ	0.254 mm	2.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B20H	76mm	3µ	0.254 mm	2.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B20KT	76mm	3µ	0.356 mm	2.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33B20KTH	76mm	3µ	0.356 mm	2.0 MΩ	1-2µ	單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激
TM33C05	76mm	1µ	0.085 mm	0.5 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C05KT	76mm	1µ	0.145 mm	0.5 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C10	76mm	1µ	0.085 mm	1.0 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C10KT	76mm	1µ	0.145 mm	1.0 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C20	76mm	1µ	0.085 mm	2.0 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C20KT	76mm	1µ	0.145 mm	2.0 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C20KTH	76mm	1µ	0.145 mm	2.0 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C40	76mm	1µ	0.085 mm	4.0 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C40KT	76mm	1µ	0.145 mm	4.0 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用
TM33C40KTH	76mm	1µ	0.145 mm	4.0 MΩ	1µ	單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用

三、埃爾吉洛伊不銹電極（Elgiloy/Stainless）：

型號(hào)	長(zhǎng)度	絕緣層厚度	手柄直徑	最低阻抗 ±20%	尖端直徑	典型應(yīng)用
SSM123B10KT	76mm	3µ	0.61mm	1.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM123B10KTH	76mm	3µ	0.61 mm	1.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM123B20KTH	76mm	3µ	0.61 mm	2.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM33A05	76mm	3µ	0.229 mm	0.5 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM33A10	76mm	3µ	0.229 mm	1.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM33A10KT	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM33A10KTH	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM33A20	76mm	3µ	0.229 mm	2.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM33A20KT	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM33A70	76mm	3µ	0.229 mm	7.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)
SSM33A120	76mm	3µ	0.229 mm	12.0 MΩ	1-2µ	記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色)

B型電極及其應(yīng)用：

型號(hào)	長(zhǎng)度	絕緣層厚度	手柄直徑	最低阻抗	尖端直徑	典型應(yīng)用
TST33A05KT	76mm	3µ	0.356 mm	0.5 MΩ	1µ	立體電極 /雙極測(cè)量，差分測(cè)量
TST33A10KT	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1µ	立體電極 /雙極測(cè)量，差分測(cè)量
TST33A20KT	76mm	3µ	0.356 mm	2.0 MΩ	1µ	立體電極 /雙極測(cè)量，差分測(cè)量
TST33C05KT	76mm	3µ	0.216 mm	0.5 MΩ	1µ	立體電極 /雙極測(cè)量，差分測(cè)量
TST53A10KT	127mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	立體電極 /雙極測(cè)量，差分測(cè)量

C型電極及其應(yīng)用：

純銥電極：

型號(hào)	長(zhǎng)度	絕緣層厚度	手柄直徑	最低阻抗 ±20%	尖端直徑	典型應(yīng)用
IRM23E01	50mm	3µ	0.106 mm	0.1 MΩ	2-3µ	多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激
IRM23E01KT	50mm	3µ	0.180 mm	0.1 MΩ	2-3µ	多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激
IRM23E05	50mm	3µ	0.106 mm	0.5 MΩ	2-3µ	多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激
IRM23E05KT	50mm	3µ	0.180 mm	0.5 MΩ	2-3µ	多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激
IRM23E10	50mm	3µ	0.106 mm	1.0 MΩ	1-2µ	多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激
IRM23E10KT	50mm	3µ	0.180 mm	1.0 MΩ	1-2µ	多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激
IRM23E15	50mm	3µ	0.106 mm	1.5 MΩ	1-2µ	多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激
IRM23E15KT	50mm	3µ	0.180 mm	1.5 MΩ	1-2µ	單個(gè)及多個(gè)單元記錄和刺激
IRM23E20	50mm	3µ	0.106 mm	2.0 MΩ	1-2µ	更大的選擇型和微刺激
IRM23E20KT	50mm	3µ	0.180 mm	2.0 MΩ	1-2µ	更大的選擇型和微刺激
IRM23E25	50mm	3µ	0.106 mm	2.5 MΩ	1-2µ	更大的選擇型-小細(xì)胞
IRM23E25KT	50mm	3µ	0.180 mm	2.5 MΩ	1-2µ	更大的選擇型-小細(xì)胞
IRM23E25KT-H	50mm	3µ	0.180 mm	2.5 MΩ	1-2µ	更大的選擇型-小細(xì)胞
IRM23E30	50mm	3µ	0.106 mm	3.0 MΩ	1-2µ	更大的選擇型-小細(xì)胞
IRM23E30KT	50mm	3µ	0.180 mm	3.0 MΩ	1-2µ	更大的選擇型-小細(xì)胞
IRM23E50	50mm	3µ	0.106 mm	5.0 MΩ	1-2µ	更大的選擇型-小細(xì)胞
IRM23E50KT	50mm	3µ	0.180 mm	5.0 MΩ	1-2µ	更大的選擇型-小細(xì)胞
IRM23E50KT-H	50mm	3µ	0.180 mm	5.0 MΩ	1-2µ	更大的選擇型-小細(xì)胞

D型電極及其應(yīng)用：

一、鉑銥電極：

型號(hào)	長(zhǎng)度	絕緣層厚度	手柄直徑	最低阻抗	尖端直徑	典型應(yīng)用
PTM123B05KT	305mm	3µ	0.61mm	10.5 MΩ	1-2µ	腦深部研究
PTM123B10KT	305mm	3µ	0.61mm	1.0 MΩ	1-2µ	腦深部研究
PTM123B20KT	305mm	3µ	0.61mm	2.0 MΩ	1-2µ	腦深部研究

二、鎢絲電極：

型號(hào)	長(zhǎng)度	絕緣層厚度	手柄直徑	最低阻抗	尖端直徑	典型應(yīng)用
	305mm	3µ	0.406mm	0.5 MΩ	1µ	腦深部研究
	305mm	3µ	0.406mm	1.0 MΩ	1µ	腦深部研究
TM123A10KT-B	305mm	3µ	0.406mm	1.0 MΩ	1µ	腦深部研究
TM123A20KT	305mm	3µ	0.406mm	2.0 MΩ	1µ	腦深部研究

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