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                                                              English | 中文版 | 手機(jī)版 企業(yè)登錄 | 個人登錄 | 郵件訂閱
                                                              當(dāng)前位置 > 首頁 > 行業(yè)資訊 > 新品 > 賽默飛推出半導(dǎo)體專用串聯(lián)四極桿型iCAP TQs ICP-MS

                                                              賽默飛推出半導(dǎo)體專用串聯(lián)四極桿型iCAP TQs ICP-MS

                                                              瀏覽次數(shù):653 發(fā)布日期:2019-11-15  來源:本站 本站原創(chuàng),轉(zhuǎn)載請注明出處
                                                              搭載全新5G SoC芯片,采用7nm+EUV制成工藝的國產(chǎn)手機(jī)5G版重磅來襲!!
                                                               
                                                              首次將5G基帶集成到SoC上,創(chuàng)新的達(dá)芬奇架構(gòu),全新的16核GPU,使得您的手機(jī)運(yùn)行更快更自然。手機(jī)性能的快速提升,歸根結(jié)底是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。
                                                               
                                                               
                                                              半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最上游是IC設(shè)計公司與硅晶圓制造公司,IC設(shè)計公司依客戶的需求設(shè)計出電路圖,硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計公司設(shè)計好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測廠實施封裝與測試,即大功告成!
                                                               
                                                              硅片是半導(dǎo)體制造業(yè)的基礎(chǔ)材料,硅片表面極其少量的無機(jī)雜質(zhì)元素污染都可能器件的功能喪失或者可靠性變差,例如:
                                                              - 堿金屬及堿土金屬(Li、Na、K、Ca、Mg、Ba等)污染會導(dǎo)致元件擊穿電壓降低;
                                                              - 過渡金屬與重金屬(Fe、Cr、Ni、Cu、Au、Mn、Pb等)污染可使元件的壽命縮短,或者使元件工作時的暗電流增大;
                                                              - 滲透元素(B、Al、As等)本身用于形成元件,如果是污染,則改變了元件的工作點(diǎn),使器件產(chǎn)生工作錯誤等;
                                                               
                                                              硅片表面及處理硅片過程中所使用試劑中的無機(jī)元素監(jiān)測是硅片制造及使用過程中不可缺少的流程,也是提升元器件性能的重要方法及指標(biāo)。
                                                               

                                                               
                                                              賽默飛四極桿型ICP-MS
                                                               
                                                              針對半導(dǎo)體硅片表面及處理硅片所使用試劑中的無機(jī)元素雜質(zhì)含量均為痕量級別,且待測元素種類多,四極桿型ICP-MS由于其檢出限低、分析速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中無機(jī)雜質(zhì)元素的分析中。賽默飛可為您提供iCAP RQ單四極桿ICP-MS及iCAP TQ三重串聯(lián)四極桿型ICP-MS。
                                                               
                                                               
                                                              iCAP RQ 單四極桿ICP-MS
                                                               
                                                              隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)無機(jī)雜質(zhì)元素檢出限量可能低至1ppt。對此,賽默飛近期專門推出半導(dǎo)體專用串聯(lián)四極桿型iCAP TQs ICP-MS
                                                               
                                                               
                                                              iCAP TQs 三重四極桿ICP-MS
                                                               
                                                              性能優(yōu)勢
                                                               
                                                              - 符合人體工程學(xué);
                                                              - 緊湊型設(shè)計,適用于與在線監(jiān)測系統(tǒng)和氣相蝕刻系統(tǒng)集成使用;
                                                              - 自適應(yīng)化學(xué)惰性進(jìn)樣系統(tǒng)確保最小的污染以得到可重復(fù)穩(wěn)定數(shù)據(jù);
                                                              - 穩(wěn)健性能,一次分析中采用結(jié)合熱和冷等離子體方式;
                                                              - 通過軟件流程實驗全自動并簡化的日常分析工作;
                                                              - 易于安裝,需要的安裝尺寸小,對潔凈室和生產(chǎn)場地要求��;
                                                              - 標(biāo)配He, O₂, H₂, NH₃ 4路碰撞反應(yīng)氣體,能夠徹底消除ICP-MS測試過程中遇到的多原子離子干擾;標(biāo)配有機(jī)加氧裝置,可直接分析半導(dǎo)體行業(yè)遇到的有機(jī)試劑;
                                                              - 標(biāo)配干泵,降低泵的使用及維護(hù)成本;避免油泵帶來的油霧顆粒,降低潔凈間的維護(hù)成本;
                                                              - 穩(wěn)健可靠的冷焰模式,同一方法中可實現(xiàn)不同模式切換;冷、熱等離子體間切換,儀器長期穩(wěn)定性依然好;
                                                              - 專門Reaction Finder功能,智能推薦反應(yīng)產(chǎn)物,簡化方法開發(fā)流程,是提升方法開發(fā)的有效手段;Q1精確實現(xiàn)1amu的質(zhì)量篩選,能更好的降低質(zhì)譜干擾的形成;
                                                              - 獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計令操作及儀器維護(hù)更簡單;
                                                               
                                                              實驗數(shù)據(jù)
                                                               
                                                              硅片經(jīng)VPD處理后會以溶液的形式被收集,經(jīng)VPD掃描的硅會在處理過程中與氫氟酸反應(yīng)被除去,掃描液中硅的含量很低,對儀器沒有耐高鹽的要求,采用標(biāo)配iCAP TQs ICP-MS對樣品進(jìn)行分析,測試元素為半導(dǎo)體常規(guī)關(guān)注元素。分析方法經(jīng)過Reaction Finder的優(yōu)化,測試結(jié)果真實可靠。
                                                               

                                                               
                                                              為驗證TQs ICP-MS在半導(dǎo)體硅片樣品測試中的穩(wěn)定性,對掃描液進(jìn)行加標(biāo)100ng/L,連續(xù)測試兩個小時。測試結(jié)果表明,半導(dǎo)體所關(guān)注的元素在兩個小時內(nèi)RSD值均在5% 以內(nèi),證明儀器的穩(wěn)定性能良好。
                                                               
                                                              賽默飛針對半導(dǎo)體行業(yè)不僅可以提供無機(jī)元素分析儀器ICP-MS,還能提供離子色譜用于陰離子分析及GC-MS用于廠務(wù)氣體中揮發(fā)性有機(jī)物的分析。除此之外,賽默飛還為客戶提供物理失效分析、電子失效分析等分析儀器。綜上賽默飛可為半導(dǎo)體企業(yè)提供完整的解決方案,助力中國半導(dǎo)體企業(yè)騰飛!
                                                               

                                                              相關(guān)公司:賽默飛世爾科技(色譜與質(zhì)譜)
                                                              聯(lián)系電話:13386161207
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